SDH8594AS線損補償：在實際的應(yīng)用設(shè)計中,輸岀電壓在電纜線上會有不同程度的壓降ⅤAB。在不同的電流情況下,輸岀端的整流二極管壓降VD也會發(fā)生改變,需要綜合考慮，SDH8594AS通過內(nèi)部一個電流源來產(chǎn)生帶有失調(diào)的反饋電壓VFB。內(nèi)部電流源的大小與輸出電流大小成比例關(guān)系。當(dāng)負(fù)載電流從滿載到空載的時候，ⅤFB的失調(diào)電壓増加,增加量可以通過反饋電阻R1和R2調(diào)節(jié)。
SDH8594AS CC控制方式：通過電路對FB為正、為負(fù)或準(zhǔn)諧振的時間進(jìn)行計算,FB為正的時間為ToF1表示變壓器的次級線圈有電流,FB為負(fù)的時間為TN,FB衰減振蕩的時間為ToFF2,在這兩個時間內(nèi)變壓器的次級線圈沒有電流。
隨著發(fā)展的科技信息化時代，生活工作都與電子產(chǎn)品息息相關(guān)。適配器IC也就被大量的應(yīng)用起來了，適配器IC可分為原邊反饋（PSR）電源芯片和副邊反饋（SSR）電源芯片。PSR電源芯片價格比SSR的較低，因為原邊反饋電源芯片無光耦和TL431，所以在價格上就比較便宜一點。而適配器IC所使用的功率管耐壓也分為三極管（BJT）和MOSFET,三極管（BJT）的耐壓可達(dá)到700V左右;MOSFET耐壓可達(dá)到600V左右 。

SDH8594AS原邊反饋電源芯片采用PFM調(diào)制技術(shù)，實現(xiàn)精確的恒壓/恒流（CV/CC）控制，效率和待機功耗滿足DOE Level 6能效標(biāo)準(zhǔn)。

SDH8594AS內(nèi)置了高壓MOS管，使用了自有的技術(shù)來實現(xiàn)高壓啟動功能，降低待機功耗以及提高轉(zhuǎn)換效率，具有外部可調(diào)的線損補償和內(nèi)置的峰值電流補償?shù)裙δ埽梢源_保精準(zhǔn)的恒壓/恒流（CV/CC）性能，在確保待機功耗滿足DOE Level 6能效標(biāo)準(zhǔn)的前提下，具有極佳的動態(tài)響應(yīng)性能。

SDH8594AS各種保護(hù)措施：芯片內(nèi)部集成多個保護(hù)功能,包括過溫保護(hù)、FB過壓保護(hù)、VcC過壓保護(hù)、輸岀短路保護(hù)、限流保護(hù)、大導(dǎo)通時間保護(hù)等功能,全部都是芯片自動恢復(fù)(除了限流保護(hù)),即檢測到異常狀態(tài)后,芯片關(guān)斷輸出,VCC電壓開始下降到欠壓點,關(guān)斷內(nèi)部全部模塊,通過耗盡型MOS對∨CC端電容進(jìn)行充電,重復(fù)一個芯片啟動的過程。

SDH8594AS CV控制方式：當(dāng)MOS管關(guān)斷,反饋電壓為正,在FB為正的2/3~1/2時間點進(jìn)行采樣,采樣得到的電壓經(jīng)過與恒壓閾值Vc的比較、放大,產(chǎn)生恒壓環(huán)路的關(guān)斷時間ToF,從而實現(xiàn)輸出的恒壓。在輕載或者中載的時候,恒壓環(huán)路產(chǎn)生不同的峰值電流。

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